众所周知，在集成电路制造中，光刻涵盖了微纳图形的转移、加工和形成，决定了集成电路晶片上电路的特征尺寸和芯片中晶体管的数量。它是集成电路制造中的关键技术之一。随着半导体工艺发展到7nm及以下节点，极紫外(EUV)光刻已经成为首选的光刻技术。

当EUV掩模对准器使用强相干光源进行光刻时，由照明系统分割的相干光的多个子光束具有固定的相位关系。这些子光束投射到掩模上叠加后，会形成固定的干涉图样，产生明暗变化和光强不均匀的问题。因此，必须先进行消相干处理(或避免相干影响)，以达到光均衡的效果，从而保证光刻工艺的正常进行。

来自国家知识产权局官网的消息，华为技术有限公司于11月15日公布了一项与光刻技术相关的专利，专利申请号为202110524685X。据悉，该专利申请提供了一种反射镜、光刻设备及其控制方法，涉及光学领域，能够解决由于形成固定的干涉图样而导致相干光不能均匀化的问题。它是在极紫外光刻仪的基础上进行优化，以达到匀光的目的，进一步解决了相关技术中由于形成固定干涉图样而导致相干光不能匀光的问题。

(报告)