)7月28日消息3360英特尔最近公布了未来工艺和封装技术路线图，并宣布了新的处理器命名方法，如英特尔7、英特尔4、英特尔3、英特尔20A等。

英特尔表示，基于FinFET晶体管优化的英特尔7与英特尔10纳米SuperFin相比，性能功耗比提高了约10%至15%。Intel7将于2021年被用于客户端的Alder Lake和用于数据中心的Sapphire Rapids等产品采用，预计于2022年季度投入使用。

Intel 4完全采用EUV光刻技术，并使用超短波波长光打印出惊人的小功能。Intel 4将通过每瓦特约20%的性能提高和面积提高，在2022年下半年开始生产，2023年配送的产品包括用于客户端的Meter Rake、用于数据中心的Granite Raped等。

英特尔3利用更多的FinFET优化和增加的EUV，与英特尔4相比，性能功耗比提高了约18%，面积得到了改善。英特尔3将于2023年下半年开始制造产品。

英特尔20A凭借功能区fet和PowerVia的两项突破性技术开辟了“埃及”时代。RibbonFET是英特尔实施的环形栅极晶体管，将成为2011年推出FinFET以来的个新晶体管体系结构。该技术在较小的占位区内实现与多个针脚相同的驱动电流，同时提供更快的晶体管开关速度。PowerVia是英特尔独特的业界个后端电源实施解决方案，可消除晶片前端电源布线的需要，优化信号传输。英特尔20A将于2024年上市。该公司也很高兴有机会与高通合作使用英特尔20A工艺技术。

自2025年以来，除：英特尔20A外，英特尔18A将改善2025年初开发的带状fet，带来晶体管性能的又一次大飞跃。英特尔致力于定义、构建和部署下一代高NAEUV，预计将拥有业界个生产工具。英特尔与ASML密切合作，使该行业超越当前一代EUV取得成功。